[发明专利]一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法在审
| 申请号： | 202210758173.4 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115035919A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 周艳;赵月雷;杨晟;武凯 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G11B5/70 | 分类号： | G11B5/70;G11B5/706;G11B5/716 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法，包括以下步骤S1、提供反铁磁薄膜；S2、基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子；S3、基于多个方波脉冲电流，所述若干个磁斯格明子在马格努斯力作用下靠向所述边界磁畴方向运动，所述边界磁畴对所述若干个磁斯格明子产生排斥力；S4、所述马格努斯力与所述排斥力处于平衡状态，所述若干个磁斯格明子沿着电流方向运动。本发明采用边界磁畴来保护磁斯格明子所携带的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边界 保护 反铁磁 薄膜 中磁斯格 明子 方法 | ||
【主权项】：
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