[发明专利]一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用在审
| 申请号： | 202210755529.9 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115148580A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 李良辉;徐星亮;徐哲;张林;李志强;李俊焘 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 刘璐 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用，所述二氧化硅倾斜台面结构的斜坡顶部与底部具有1～15°的小角度，中部具有15～60°的大角度，为一种上小下大且边缘形貌圆润光滑的倾斜台面结构；该结构利用双层胶工艺对二氧化硅薄膜进行剥离形成。本发明提供的二氧化硅倾斜台面结构的制作方法可在包括但不限于以下三方面的场景中应用：1、作为绝缘介质层被应用于各类型器件加厚金属层间电学隔离；2、作为刻蚀掩膜被应用于SiC材料的倾斜角度刻蚀；3、作为钝化介质层被应用于SiC或GaN等材料功率器件的倾斜场板终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 倾斜 台面 结构 制作方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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