[发明专利]保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统在审
| 申请号： | 202210746196.3 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115331090A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 万晶;杨璐丹;潘伟伟 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06V20/00 | 分类号： | G06V20/00;G06F30/394;G06F30/392;G06F30/333;H01L27/02 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供保护二极管的识别方法，包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别。可以自动快速地为避免天线效应提供可选保护二极管。本发明还提供的绕线方法通过本发明的保护二极管的识别方法得到保护二极管的引脚，可自动连接到晶体管的栅极，从而保护栅极。本发明的测试芯片设计方法对于晶体管型的目标对象，利用本发明的绕线方法，可自动快速添加保护二极管，进一步提高了设计效率。本发明的测试芯片设计方法、系统、测试芯片具有相应优势。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 二极管 识别 方法 测试 芯片 设计 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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