[发明专利]保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统

权利要求书

1.保护二极管的识别方法，其特征在于：包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别。

2.根据权利要求1所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：所述版图包括：有源区图层、掺杂层、N阱层、有源区连接层、栅极连接层和多晶硅层；其中，有源区图层的图形定义有源区；掺杂层的图形定义掺杂区；N阱层的图形定义N阱区；所述有源区连接层的图形定义有源区连接线，用于连接有源区；所述栅极连接层的图形定义栅极连接线，用于连接栅极。

3.根据权利要求1所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：识别出所述保护二极管的引脚的步骤包括：

步骤一.获取版图中的源漏掺杂区；

步骤二.识别出与所述源漏掺杂区有接触的有源区连接线，记为目标连接线；

步骤三.在全部所述目标连接线中，将与所述栅极连接线有接触的或者与除所述源漏掺杂区外的有源区有接触的都排除，剩余的目标连接线即为所述保护二极管的引脚。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：当所述保护二极管为N型保护二极管时，所述源漏掺杂区是指N型源漏掺杂区；所述N型源漏掺杂区的识别方式包括：获取有源区与N型掺杂区的重叠部分，记为NAA；获取所述NAA中不与N阱区重叠的部分，即所述N型源漏掺杂区。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：当所述保护二极管为P型保护二极管时，所述源漏掺杂区是指P型源漏掺杂区；所述P型源漏掺杂区的识别方式包括：获取有源区与P型掺杂区的重叠部分，记为PAA；获取所述PAA中与N阱区重叠的部分即所述P型源漏掺杂区。

6.根据权利要求4所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：当所述保护二极管为N型保护二极管时，识别出的引脚为N型保护二极管的负极。

7.根据权利要求5所述的保护二极管的识别方法，其特征在于：当所述保护二极管为P型保护二极管时，识别出的引脚为P型保护二极管的正极。

8.添加保护二极管的晶体管绕线方法，其特征在于：包括：通过权利要求1-7任一项所述的保护二极管的识别方法进行识别得到保护二极管的引脚，进而得到保护二极管；对晶体管进行绕线的同时将所述保护二极管连接到所述晶体管的栅极上。

9.根据权利要求8所述的添加保护二极管的晶体管绕线方法，其特征在于：在对晶体管进行绕线之前，判断晶体管类型，根据所述晶体管类型相应识别保护二极管；当所述晶体管为NMOS时，则所述保护二极管采用N型保护二极管；当所述晶体管为PMOS时，则所述保护二极管采用P型保护二极管。

10.测试芯片设计方法，其特征在于：包括下述步骤：

步骤S1：输入产品芯片版图，基于图形化解读获取所述产品芯片版图中的对象及其对象信息；其中，所述产品芯片版图包括前段图层和后段图层；

步骤S2：创建测试芯片的后段图层，包括：在产品芯片上排布若干焊盘；基于步骤S1中获取的所述对象及对象信息，筛选出若干对象作为目标对象；抓取所述目标对象的引脚；为所述目标对象的引脚分配焊盘，并绕线实现目标对象的引脚到所分配焊盘的连接；其中，绕线方法包括采用权利要求8-9任一项所述的添加保护二极管的晶体管绕线方法；

步骤S3：将所述产品芯片版图的前段图层和所述步骤S2创建的测试芯片的后段图层进行合并连接，获得所述测试芯片的版图。