[发明专利]具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210724652.4 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115084281A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王颖;陈嘉豪;曹菲;郭浩民;张立龙 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法，包括：N+衬底层；N型不同浓度多缓冲层，位于N+衬底层上；P型区，包括：P+区和P‑缓冲层，P‑缓冲层位于P+区下方；N型场截止层，位于P‑缓冲层下方；N‑漂移区，包括位于N型场截止层之上的第二N‑漂移区和位于N型多缓冲层之上的第一N‑漂移区；沟槽，位于P+区上方，沟槽内部填充金属。采用本发明的技术方案，当重离子入射时，可以大大降低肖特基接触表面和N‑/N+同质结处的电场峰值、载流子碰撞电离产生率和瞬态电流，从而降低器件表面和内部的晶格温度，使器件的单粒子烧毁安全工作区得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粒子 烧毁 能力 肖特基 二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210724652.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
