[发明专利]半导体存储装置及半导体系统在审

专利信息
申请号: 202210722268.0 申请日: 2022-06-24
公开(公告)号: CN115729448A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 菅井研作 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C7/10;G11C16/26
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 贺财俊;黄健
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置及半导体系统,具备对闪速存储器的擦除动作进行仿真的功能。本发明的电阻变化型存储器包括:存储单元阵列;控制器,根据输入的命令来进行存储单元阵列的读出或写入;擦除命令许可寄存器,设定是否能够接收擦除命令;以及忙碌时间调整寄存器,调整忙碌时间。在进行的是许可擦除命令的接收的设定的情况下,控制器对输入的擦除命令作出响应而对擦除动作进行仿真,且对包含经忙碌时间调整寄存器调整后的忙碌时间的忙碌信息进行规定。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 系统
【主权项】:
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