[发明专利]一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 202210716538.7 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115287751A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 马金榜;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法，硅基GaN薄膜包括：Si衬底、预铺铝、至少两层AlPN成核层和GaN外延层，其中，所述Si衬底、所述预铺铝层、所述至少两层AlPN成核层和所述GaN外延层依次层叠。本发明实施例在Si衬底上生长至少两层AlPN成核层，与Si衬底接触的AlPN成核层可以实现Si衬底与成核层之间的晶格完全匹配，而最上面一层的AlPN成核层可以实现成核层与GaN层之间的晶格匹配，降低了Si基GaN外延层由于晶格失配带来的位错，提高了Si基GaN的晶体质量；同时，AlPN成核层生长过程中P源的引入可进入衬底形成N型掺杂，进而降低Si基GaN由于P型掺杂带来的寄生沟道的浓度，进而降低射频损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 alpn 成核 射频 损耗 gan 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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