[发明专利]碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法在审
| 申请号： | 202210697888.3 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114995572A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 梁小斌;郑泽东;叶之菁;李驰;张相飞;王连忠;李涛;刘国静;刘涛 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 刘美丽 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 饱和 保护 温度 补偿 电路 方法 | ||
【主权项】：
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