[发明专利]一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法在审
| 申请号： | 202210688398.7 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN114937677A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 吕智军;李婷;李海松;何杰;徐晚成;崔双韬;曹天骄;袁昕;张曼;杨靓 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 背照式抗 辐照 加固 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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