[发明专利]基于AlPN缓冲层的自支撑GaN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210688350.6 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115233304A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 马金榜;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于AlPN缓冲层的自支撑GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：在Si衬底上外延生长AlN成核层；在AlN成核层上外延生长AlPN缓冲层；在AlPN缓冲层上外延生长GaN层；利用碱性显影溶液剥离AlPN缓冲层，得到自支撑的GaN薄膜。本发明通过在Si衬底上生长AlPN作为缓冲层，一方面，由于AlPN与AlN之间的晶格失配极小，可以实现缓冲层与GaN层之间的晶格完全匹配，降低了Si基GaN由于晶格失配带来的位错，提高了Si基GaN的晶体质量；另一方面，由于AlPN缓冲层很容易在碱性显影溶液中溶解，可以更方便剥离得到自支撑的GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 alpn 缓冲 支撑 gan 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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