[发明专利]一种具有高厚度隔离层的复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202210638753.X | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN114724928A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;纪鹏飞;连坤;邢兆辉;李勇帅;张耀亮 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种具有高厚度隔离层的复合衬底及其制备方法，属于半导体制备技术领域，包括：在衬底层上交替执行以下步骤至少两次，制备得到目标厚度的隔离层；其中，在衬底层上交替执行的步骤，包括：沉积第一硅层；将第一硅层全部氧化为二氧化硅，得到子隔离层；其中，隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度之和，每次制备得到的子隔离层的厚度均小于等于6μm，隔离层的目标厚度大于6μm。这样，通过多个厚度小于等于6μm的子隔离层，形成目标厚度大于6μm的隔离层，这样制备具有高厚度隔离层的复合衬底所需的时间，少于直接在衬底层上制备具有高厚度隔离层的复合衬底所需的时间，并且制备得到的隔离层致密、表面粗糙度低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 厚度 隔离 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210638753.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
