[发明专利]一种具有高厚度隔离层的复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202210638753.X | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN114724928A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;纪鹏飞;连坤;邢兆辉;李勇帅;张耀亮 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 厚度 隔离 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高厚度隔离层的复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底层上交替执行以下步骤至少两次，制备得到目标厚度的隔离层；
其中，在所述衬底层上交替执行的步骤，包括：
沉积第一硅层，所述第一硅层为多晶硅或非晶硅；
将所述第一硅层全部氧化为二氧化硅，得到子隔离层；
其中，隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度之和，每次制备得到的子隔离层的厚度均小于等于6μm，所述隔离层的目标厚度大于6μm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，如果所述衬底层采用硅，则在所述衬底层上沉积第一硅层之前，还包括：
将所述衬底层部分氧化为二氧化硅，得到第一隔离层，所述第一隔离层的厚度小于等于6μm；
其中，所述隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度与所述第一隔离层的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底层上沉积第一硅层之前，还包括：
在衬底层上沉积第二硅层，所述第二硅层为多晶硅或非晶硅；
将所述第二硅层部分氧化为二氧化硅，得到第二隔离层，所述第二隔离层的厚度等于小于6μm；
其中，所述隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度与所述第二隔离层的厚度之和。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在制备得到第一隔离层之后、在衬底层上沉积第一硅层之前，还包括：
在所述第一隔离层上沉积第三硅层，所述第三硅层为多晶硅或非晶硅；
将所述第三硅层部分氧化为二氧化硅，得到第三隔离层，所述第三隔离层的厚度小于等于6μm；
其中，所述隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度与所述第三隔离层的厚度之和。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述第一硅层全部氧化为二氧化硅的氧化温度为800℃-1100℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积第一硅层的温度为500℃-600℃，其中，所述第一硅层为多晶硅。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积第一硅层的温度为600-700℃，其中，所述第一硅层为非晶硅。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积第一硅层的沉积速率为3-13nm/min。
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将所述衬底层部分氧化为二氧化硅的氧化温度为800℃-1100℃。
10.一种具有高厚度隔离层的复合衬底，其特征在于，所述具有高厚度隔离层的复合衬底采用如权利要求1-9任一所述的一种具有高厚度隔离层的复合衬底的制备方法制备得到。
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