[发明专利]一种平面型SiC IGBT及其制作方法有效
| 申请号： | 202210631154.5 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN114937689B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张金平;吴庆霖;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面型SiC IGBT及其制作方法。本发明可以在几乎不影响SiC IGBT性能的同时，提高其短路性能，并降低栅电极与漏电极间电容Cgd，减小器件的开关损耗，满足实际使用中的需求。通过在JFET区域y方向引入间隔的P型掺杂区，其与P型基区相连，减小器件的沟道密度，降低饱和电流，从而有效减小碳化硅IGBT短路时的功率密度，改善其短路特性。通过在JFET区域y方向引入的间隔的P型掺杂区，减小栅极与漏极之间的电容，改善器件的开关速度，减小器件的开关损耗。同时，该结构可以改善阻断工作时器件JFET区的电场分布和氧化层内的峰值电场，提高器件的氧化层可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 sic igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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