[发明专利]能提升短路能力的IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210608694.1 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975621A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 许生根;杨晓鸾;孔凡标;李哲锋;李磊 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能提升短路能力的IGBT器件及制备方法。其在沿元胞沟槽的长度方向上，在元胞沟槽内设置若干槽内介质块，所述槽内介质块从元胞沟槽的槽口向元胞沟槽的底部方向延伸，且槽内介质块与栅极导电多晶硅绝缘隔离；在元胞沟槽间相互邻近的外侧壁上设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区沿元胞沟槽的长度方向分布，槽内介质块在元胞沟槽内的底部位于第一导电类型源区的底部的下方；所述元胞沟槽内的栅极导电多晶硅与栅极金属层欧姆接触。本发明能降低短路电流，有效提升短路能力，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 短路 能力 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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