[发明专利]一种用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210600343.6 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115312598A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 代建勋;黄火林 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 马庆朝 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用，属于半导体湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.采用阶段功率刻蚀法进行GaN基异质结材料外延片台面刻蚀；步骤2.采用先等离子处理，后湿法腐蚀的方案进行源漏电极掩埋区域刻蚀；步骤3.采用无金欧姆接触制作方案；步骤4.将含有巯基的笼状单体，含有烯键的单体作为骨架材料和光催化剂溶于四氢呋喃和甲醇的混合溶剂中；步骤5.将少量前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下照射15～30分钟；步骤6.用相同的溶剂体系进行润洗。以该材料作为敏感材料制成的HEMT湿敏元件，该元件在全湿度范围灵敏度达是个数量级，并且该元件可以很好地进行呼吸的检测和呼吸频率的分辨。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 呼吸 监测 hemt 元件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210600343.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
