[发明专利]一种双向可控硅的制作方法及双向可控硅在审
| 申请号： | 202210596716.7 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN114783872A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈秀镁;熊爱华;梅海军 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/265;H01L29/747 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 邱丹腾 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双向可控硅的制作方法，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进行高温扩散，形成第六P型层，在晶圆正面用光刻、注入方法，形成P型分压环，注入条件为基区注入剂量的1％，区别于现有技术，上述技术方案通过改变P2结深和P4结深能够使得产品有更好的dv/dt表现，同时还由于增加了n5的有效重叠面积，能够使得电子注入能力增加，降低IGT4电流，使得本产品的通电表现更为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 可控硅 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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