[发明专利]一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210586128.5 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115148800A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 杨雨;田晓丽;刘新宇;白云;杨成樾;王二俊;汤益丹;陈宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区(即第一阱区)上方、导电侧P型接触区制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区与P型接触区逸出，提升空穴浓度，从而显著降低器件的正向导通压降，减少通态损耗，显著增强器件的导电能力，同时击穿电压与栅极氧化物电场没有退化。本发明还涉及所述非对称沟槽栅SiCIGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 沟槽 sic igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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