[发明专利]一种InGaN/GaN超晶格结构太阳能电池外延结构及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种InGaN/GaN超晶格结构太阳能电池外延结构，其自下而上依次包括衬底、成核层、本征层、第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层；本征层为包括两个台面的阶梯状结构，两个台面分别为第一台面和第二台面，且第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层均设置在第一台面正上方。本发明光电转换效率优于传统的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，提高了光生空穴载流子的输运效率，提高了短路电流，提升了电池的整体性能。本发明还提出了上述太阳能电池外延结构的制备方法，其采用易于产业化的MOCVD外延技术外延材料和利用成熟LED工艺制造器件，便于加工制造和大规模推广。