[发明专利]量子点像素化薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202210572862.6 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115020626A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;宋琦;刘湃 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 廖慧贤 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种量子点像素化薄膜制备方法。量子点像素化薄膜制备方法包括：通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形；在形成光刻图形的基板上涂覆量子点墨水；对量子点墨水进行固化；剥离光刻胶以形成第一量子点像素层；重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层。本申请的量子点像素化薄膜制备方法至少具有如下有益效果：通过涂覆量子点墨水后剥离光刻胶的方式间接制备量子点像素化薄膜，能够提高像素的质量，达到更高的光转换率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 像素 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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