[发明专利]量子点像素化薄膜制备方法

说明书

本申请公开了一种量子点像素化薄膜制备方法。量子点像素化薄膜制备方法包括：通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形；在形成光刻图形的基板上涂覆量子点墨水；对量子点墨水进行固化；剥离光刻胶以形成第一量子点像素层；重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层。本申请的量子点像素化薄膜制备方法至少具有如下有益效果：通过涂覆量子点墨水后剥离光刻胶的方式间接制备量子点像素化薄膜，能够提高像素的质量，达到更高的光转换率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种量子点像素化薄膜制备方法。

背景技术

相关技术中，通常采用直接配置量子点光刻胶的方式制备量子点像素化薄膜，但量子点光刻胶的化学性质受其中的量子点浓度影响，最终形成的像素难以达到高光转换率。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种量子点像素化薄膜制备方法，通过涂覆量子点墨水后剥离光刻胶的方式间接制备量子点像素化薄膜，能够提高像素的质量，达到更高的光转换率。

根据本申请的第一方面实施例的量子点像素化薄膜制备方法，包括：通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形；在形成所述光刻图形的所述基板上涂覆量子点墨水；对所述量子点墨水进行固化；剥离所述光刻胶以形成第一量子点像素层；重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层。

根据本申请实施例的量子点像素化薄膜制备方法，至少具有如下有益效果：通过涂覆量子点墨水后剥离光刻胶的方式间接制备量子点像素化薄膜，能够提高像素的质量，达到更高的光转换率。

根据本申请的一些实施例，所述通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形的步骤之前，还包括：清洗所述基板；对所述基板进行紫外光照射处理；在所述基板上形成二向色镀层。

根据本申请的一些实施例，所述重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层的步骤之后，还包括：在所述基板和量子像素层上沉积保护层，分别得到基板保护层和像素保护层；其中，所述量子像素层包括所述第一量子点像素层和所述第二量子点像素层；在所述基板保护层上形成阻光层；在所述像素保护层上形成滤光层。

根据本申请的一些实施例，所述在所述基板和量子像素层上沉积保护层的步骤，具体为：通过磁控溅射工艺在所述基板和所述量子像素层上沉积所述保护层。

根据本申请的一些实施例，所述保护层的材料为透明光学胶或透明氧化物。

根据本申请的一些实施例，所述在形成所述光刻图形的所述基板上涂覆量子点墨水的步骤，具体为：在所述基板上以500-1500rpm的速度旋涂所述量子点墨水，旋涂时间为20-30s。

根据本申请的一些实施例，所述对所述量子点墨水进行固化的步骤，具体为：将所述基板在120摄氏度下烘烤3分钟以固化所述量子点墨水。

根据本申请的一些实施例，所述剥离所述光刻胶以形成第一量子点像素层的步骤，具体为：通过丙酮冲洗所述基板以去除所述光刻胶；通过异丙醇浸洗所述基板；在120摄氏度下烘烤所述基板1分钟以形成所述第一量子点像素层。

根据本申请的一些实施例，所述量子点墨水的组成成分包括：量子点、高分子聚合物和墨水溶剂。

根据本申请的一些实施例，所述墨水溶剂的材料包括：甲苯或氯苯。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：

图1为本申请量子点像素化薄膜制备方法一种实施例的流程图；

图2为本申请量子点像素化薄膜制备方法另一种实施例的流程图；