[发明专利]量子点像素化薄膜制备方法

权利要求书

1.量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，包括：

通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形；

在形成所述光刻图形的所述基板上涂覆量子点墨水；

对所述量子点墨水进行固化；

剥离所述光刻胶以形成第一量子点像素层；

重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层。

2.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述通过光刻胶在基板上进行图形光刻，得到光刻图形的步骤之前，还包括：

清洗所述基板；

对所述基板进行紫外光照射处理；

在所述基板上形成二向色镀层。

3.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述重复上述步骤以形成另一种颜色的第二量子点像素层的步骤之后，还包括：

在所述基板和量子像素层上沉积保护层，分别得到基板保护层和像素保护层；其中，所述量子像素层包括所述第一量子点像素层和所述第二量子点像素层；

在所述基板保护层上形成阻光层；

在所述像素保护层上形成滤光层。

4.根据权利要求3所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述在所述基板和量子像素层上沉积保护层的步骤，具体为：

通过磁控溅射工艺在所述基板和所述量子像素层上沉积所述保护层。

5.根据权利要求3所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为透明光学胶或透明氧化物。

6.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述在形成所述光刻图形的所述基板上涂覆量子点墨水的步骤，具体为：

在所述基板上以500-1500rpm的速度旋涂所述量子点墨水，旋涂时间为20-30s。

7.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述对所述量子点墨水进行固化的步骤，具体为：

将所述基板在120摄氏度下烘烤3分钟以固化所述量子点墨水。

8.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述剥离所述光刻胶以形成第一量子点像素层的步骤，具体为：

通过丙酮冲洗所述基板以去除所述光刻胶；

通过异丙醇浸洗所述基板；

在120摄氏度下烘烤所述基板1分钟以形成所述第一量子点像素层。

9.根据权利要求1至8任一项所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述量子点墨水的组成成分包括：量子点、高分子聚合物和墨水溶剂。

10.根据权利要求9所述的量子点像素化薄膜制备方法，其特征在于，所述墨水溶剂的材料包括：甲苯或氯苯。