[发明专利]内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210568442.0 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114944389A 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;赵胜雷;段小玲;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L27/07 分类号: H01L27/07;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/8252
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件,主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括:衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层;第二势垒层上部依次设有P型块和栅极;第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层的左、右两侧均设有第一台面,这两个第一台面上分别为阳极与漏极,左侧的第一台面右侧依次为第二台面和源极。第一沟道层与第一势垒层的接触界面形成电子通道,该通道与漏极、阳极构成肖特基二极管结构;第二沟道层、第二势垒层、P型块、漏极、源极、栅极共同构成功率开关晶体管。本发明可降低损耗,提升器件集成度,且能实现双向导通特性,用作开关器件。
搜索关键词: 内嵌肖特基 二极管 复合 功率 开关 器件 及其 制作方法
【主权项】:
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