[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210555566.5 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114864700A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目在于提供能够在确保耐压的同时，抑制恢复时的峰值电流的技术。半导体装置的制造方法具备以下工序：在p型杂质浓度恒定的半导体衬底，通过照射或注入n型杂质，从而形成阳极层以及第1半导体层，所述阳极层的p型杂质浓度是恒定的，所述第1半导体层的n型杂质浓度具有分布，所述第1半导体层中的所述阳极层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度低；以及形成第2半导体层，所述第2半导体层是与所述阳极层之间夹着所述第1半导体层而配置的，n型杂质浓度比所述第1半导体层高且是恒定的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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