[发明专利]一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET在审
| 申请号： | 202210549563.0 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114883413A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵琳娜;顾晓峰;谈威 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 吕永芳 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该结构中的续流二极管由N型源极多晶硅和SiC的P型屏蔽区形成的异质结二极管，与沟道二极管两部分构成，正向导通时，续流二极管提前开启于体内的寄生体二极管，使得体二极管导通被抑制，避免了因为体二极管的退化而引起的可靠性问题；同时，该结构将沟槽底部P型屏蔽区接地，避免了传统结构中浮动P型屏蔽区电极引起的器件可靠性问题，提高了器件长期使用中可靠性，同时优化了栅极氧化物底部的电场分布。且基于P型屏蔽区的浓度设计，在满足续流二极管开启电压要求的同时，对MOSFET沟槽氧化物以及底部续流二极管起到保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元胞内 集成 二极管 沟槽 sic mosfet | ||
【主权项】：
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