[发明专利]一种沟槽肖特基器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210547545.9 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114927421A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王友伟 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电(南通)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/768;H01L29/40;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杜杨 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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