[发明专利]一种沟槽肖特基器件及其制作方法

说明书

本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种沟槽肖特基器件及其制作方法。

背景技术

沟槽肖特基器件的制备工艺已相对完善，目前，常见的制备工艺一般为在生长场板氧化层后进行多晶填充，然后将多晶平坦化后进行介质层沉积，并利用干法刻蚀工艺刻蚀出的接触孔，之后采用常规工艺完成沟槽肖特基器件的制备。

然而，干法刻蚀接触孔时，由于光刻精度要求高，因此需要精密的设备，导致设备和生产成本非常高。此外，采用干法刻蚀设备进行接触孔的刻蚀，也难以保证刻蚀均匀性。

综上，现有技术中存在接触孔刻蚀时成本高，均匀性难以保证的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种沟槽肖特基器件及其制作方法，以解决现有技术中存在的接触孔刻蚀时成本高，均匀性难以保证的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基器件制作方法，所述沟槽肖特基器件制作方法包括：

提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；

基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构；其中，所述多层场板结构中包括刻蚀停止层；

基于所述多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层；

对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔；

去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构；

沿所述接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。

可选地，基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构的步骤包括：

基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层；

基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层；

基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层。

可选地，所述基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层的步骤包括：

基于所述缓冲氧化层的表面生长比所述场板氧化层薄的刻蚀停止层。

可选地，去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构的步骤包括：

去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述刻蚀停止层；

去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述缓冲氧化层。

可选地，所述基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层的步骤包括：

基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长150～500埃的缓冲氧化层。

可选地，所述基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层的步骤包括：

基于所述刻蚀停止层的表面生长500～5000埃的场板氧化层。

可选地，对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔的步骤包括：