[发明专利]镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210532932.5 申请日: 2022-05-17
公开(公告)号: CN114720923A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 赵东艳;陈燕宁;王于波;邵瑾;付振;胡忠强;王帅鹏;钟明琛;杜剑;李阳 申请(专利权)人: 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 何智超
地址: 102200 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及磁传感器领域,提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器,包括:镂空立方体构件和三个磁阻单元,三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面,三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成,体积小,功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用,其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直,形状稳定性好,灵敏度高,可实现优良的三维磁传感能力。
搜索关键词: 镂空 立方体 封装 三维 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
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