[发明专利]镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。

2.根据权利要求1所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁阻单元包括基于各向异性磁电阻效应的磁敏感薄膜层。

3.根据权利要求2所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜层内设置有惠斯通电桥。

4.根据权利要求3所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜层上设置有四个电极，所述四个电极分别与所述惠斯通电桥的四个桥臂相连。

5.根据权利要求2所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁阻单元还包括硅基底以及所述硅基底上的氧化层，所述磁敏感薄膜层生长于所述氧化层上。

6.根据权利要求5所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜层上设置有电极；

所述硅基底的内部和所述氧化层的内部形成有与所述电极相连的硅通孔导线。

7.根据权利要求5所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁阻单元的硅基底通过粘接层粘接于所述镂空立方体构件的表面。

8.根据权利要求6所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述硅基底内部的硅通孔导线连接键合引线，三个所述磁阻单元的磁敏感薄膜层通过键合引线相互连通。

9.根据权利要求1所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，所述磁阻单元的形状为正方形，三个所述磁阻单元所在的平面相互垂直。

10.根据权利要求9所述的镂空立方体封装的三维磁传感器，其特征在于，三个所述磁阻单元均设置为靠近所述镂空立方体构件的所述三个相邻的表面的公共顶点。

11.一种镂空立方体封装的三维磁传感器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供镂空立方体构件，以及提供三个磁阻单元；

将三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面；

对三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部进行电气互联。

12.根据权利要求11所述的镂空立方体封装的三维磁传感器的制作方法，其特征在于，所述提供镂空立方体构件，包括：

分别在实心立方体构件的三个相邻面上沿距正方形的四条边相应距离的位置垂直向下切割，形成镂空立方体构件；或者，采用3D打印方式制作所需尺寸的镂空立方体构件。

13.根据权利要求11所述的镂空立方体封装的三维磁传感器的制作方法，其特征在于，所述磁阻单元包括硅基底和磁敏感薄膜层，所述磁敏感薄膜层上设置有电极。

14.根据权利要求13所述的镂空立方体封装的三维磁传感器的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面之前，在所述磁阻单元内形成与所述磁敏感薄膜层电气连接的硅通孔导线。

15.根据权利要求14所述的镂空立方体封装的三维磁传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述磁阻单元内形成与所述磁敏感薄膜层电气连接的硅通孔导线，包括：

采用硅通孔工艺在所述磁阻单元的电极位置对所述硅基底进行打孔，形成硅通孔；

在所述硅通孔内填充导电金属形成硅通孔导线；

在所述硅通孔导线靠近所述电极的端口周围电镀导电金属，使所述硅通孔导线与所述磁敏感薄膜层电气连接。