[发明专利]氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法在审
| 申请号： | 202210532921.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114892264A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张林;魏曙亮 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40;C30B25/16 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长低温氮化镓，做高温处理，形成晶种；利用晶种生长形成氮化镓薄膜，通过控制厚度来控制应力，得到带有裂纹的氮化镓薄膜；在带有裂纹的氮化镓薄膜上形成氮化镓衬底。本发明的有益效果是利用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）生长的氮化镓裂纹会使因晶格失配产生的应力得到释放，通过对氮化镓层厚度的控制，得到带有裂纹氮化镓薄膜‑图形掩膜衬底，这样再用氢化物气相外延（HVPE）进行侧向外延生长（ELOG）的内应力就会显著减小，从而提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 衬底 镓单晶层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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