[发明专利]单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210525264.3 | 申请日： | 2022-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN114804008A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王任鑫;张文栋;李照东;张国军;穆罕默德·伊尔马兹;埃汉·博兹库尔特;张赛;杨玉华;何常德;崔建功 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01H11/06 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明为一种单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构，属于超声换能器技术领域。本发明包括自上而下叠层设置的振膜层、环状支撑壁层和衬底层，振膜层形成有若干个呈阵列排布的振膜，振膜层和衬底层之间的环状支撑壁层上形成有若干个呈阵列排布的空腔，空腔与振膜相互对应；振膜上均布设置有若干通孔，衬底层的顶面上形成有延伸孔；振膜层、通孔、衬底层、延伸孔上均形成有绝缘层；振膜层上设置有上电极层，衬底层底面设置有下电极层。本发明电容式声传感器结构整体尺寸小，便于后续的封装和使用；本发明电容式声传感器结构制备方法简单，整体工艺流程少，制造成本低，便于后续的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 mems 电容 传感器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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