[发明专利]化学气相沉积设备在审
| 申请号： | 202210522180.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN114807895A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朴钟勋;郑石源;朱儇佑;崔宰赫;闵庚柱;朴元雄 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/22 | 分类号： | C23C16/22;C23C16/455;C23C16/509;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘林果;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种化学气相沉积设备。所述化学气相沉积设备包括：室；基座，设置在室中，并支撑具有有机发光二极管的基底；背板，设置在基座上方，并与基座分隔开预定距离；以及扩散器，设置在背板与基座之间，并将沉积气体提供到基底。背板包括：导电板；冷却水管，嵌入导电板中，并且被构造为承载冷却水；以及绝缘口，设置在导电板上，并包括与冷却水管的入口和出口对准的连接管。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
