[发明专利]一种载流子存储沟槽栅IGBT在审
| 申请号： | 202210518221.2 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114883401A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张伟;田甜;张小兵;廖光朝 | 申请（专利权）人： | 深圳云潼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种载流子存储沟槽栅IGBT，包括集电极；设置于集电极一侧的第一导电类型集电区、第二导电类型缓冲区、第二导电类型漂移区以及第一导电类型体区；至少两个栅沟槽；第一栅沟槽包围的第一导电类型体区的表面设置有第二导电类型源区，载流子存储层；第一导电类型漂移区设置有屏蔽掺杂区，屏蔽掺杂区位于第二栅沟槽和第一栅沟槽之间，屏蔽掺杂区的深度大于第一栅沟槽以及第二栅沟槽在第一导电类型漂移区的深度，且包围第二栅沟槽和第一栅沟槽的底部；绝缘层；发射极。本发明可极大提高载流子存储层浓度，增强电导调制效应，降低器件导通压降的同时保证器件的耐压，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 存储 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
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