[发明专利]一种多孔卤氧化镧单晶材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202210501575.6 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN114959894B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 谢奎;刘舒婧;叶灵婷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B29/64;C30B25/18;B01J27/06;B01J35/02;B01J35/10 |
代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 苏少康 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请公开了一种卤氧化镧多孔单晶材料及其制备方法和应用,本申请通过氧化方式将大尺寸卤化镧单晶转化为多孔卤氧化物单晶,所述卤氧化镧多孔单晶材料中含有10nm~1000nm的孔,开发出大尺寸卤氧化物多孔单晶材料,其在光催化,低碳烷烃氧化偶联中都有潜在的应用。此外,该晶体材料的方法操作简单、重复性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 氧化 镧单晶 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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