[发明专利]外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202210472240.6 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975706A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈张笑雄;龚逸品;陶羽宇;王群 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片，属于光电子制造技术领域。该外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底和外延结构，所述外延结构位于所述蓝宝石衬底的承载面；所述蓝宝石衬底的承载面具有多个凹槽，多个所述凹槽间隔排布，所述凹槽内填充有氧化硅材料层，且所述氧化硅材料层的表面与所述蓝宝石衬底的承载面平齐。本公开能改善外延结构的边缘区域在图形化的蓝宝石衬底上生长不平整的问题，提升外延结构的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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