[发明专利]太鼓减薄晶圆的取环方法在审
| 申请号： | 202210470569.9 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114843178A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 肖酉;孙运龙;许有超;朱田 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太鼓减薄晶圆的取环方法，包括：步骤一、对太鼓减薄晶圆进行环切；步骤二、进行双重对准工艺，包括：对环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准；对环切后的支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准；步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除；在取环工艺中，利用第一重对准确定中间部分的位置，利用第二重对准确定取环刀片的作用位置。本发明能提高位于环切完成后以及取环之前的对准工艺的准确度，增加取环窗口，降低裂纹率，最后提高取环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 太鼓减薄晶圆 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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