[发明专利]一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置在审
申请号: | 202210455412.9 | 申请日: | 2022-04-24 |
公开(公告)号: | CN114959631A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李成明;杨志亮;夏天;任飞桐;魏俊俊;陈良贤;刘金龙;安康;郑宇亭 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;H05H1/46 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置,属于微波等离子体法化学气相沉积领域。本装置具有双端微波馈入及谐振结构沿衬底呈左右对称的特性,可在衬底左右两侧同时产生等离子体,利用电子回旋共振等离子体高电子能量、高电离度、低沉积压强的性质,可实现Φ60‑200mm衬底两侧薄膜的同时沉积或一次性沉积两片薄膜。磁场谐振线圈产生875Gs的磁感应强度的电子回旋共振面,磁场整型线圈产生875Gs磁感应强度的整型磁场,谐振磁场与整型磁场的耦合提升了等离子体的均匀性,在增大沉积面积的同时提升了薄膜的均匀性。位于环形天线下方的石英介质窗口有效避免等离子体的加热、污染与刻蚀。本发明均匀性高,能降低薄膜沉积、表面处理成本,提高腔室的空间利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双端馈入 微波 电子 回旋 共振 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的