[发明专利]形成氧化硅和氮化硅复合薄膜的方法有效
| 申请号： | 202210441962.5 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114975113B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 周洁鹏;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201201 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成氧化硅和氮化硅复合薄膜的方法，包括步骤：S1：提供P反应腔室，维持在预设温度；S2：通入氟化氮气体和氩气，解离成氟离子后通入反应腔室，形成氟化铝保护层；S3：通入惰性气体进行吹扫后，通入含硅气体和氨气，于上极板表面形成氮氧化硅薄膜；S4：将生长基底放入反应腔室内，于生长基底表面沉积氧化硅层；S5：通入惰性气体并同时对反应腔室进行抽气，以对反应腔室内部进行清洁，于生长基底表面沉积氮化硅层；S6：通入氨气，进行氨气处理，以使氨气与反应腔室内残留的含硅气体充分发生反应生成氮化硅膜，最终于生长基底上形成氧化硅和氮化硅复合薄膜。采用本发明，可以显著提高薄膜生长效率和良率，提高设备产出率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化 氮化 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
