[发明专利]一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法在审
| 申请号： | 202210441617.1 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114844327A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王双彦;周罡;何磊;李光强;聂瑞雨 | 申请（专利权）人： | 西安华泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/088;H02M3/156;H02M3/158 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法，该结构通过在功率管后设置比较器和电荷泵，在检测到DCDC中功率管的源漏两端电压大于给出的阈值电压时，该电路结构能够提供一个输送到功率管栅极的负电压，以此降低功率管的导通阻抗，从而解决DCDC芯片启动时由于功率管阻抗过大而导致的启动速度慢、低输入电压时由于功率管阻抗过大而导致的带载能力低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 dcdc 芯片 性能 电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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