[发明专利]一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法

权利要求书

1.一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，包括功率管、比较器(2)和电荷泵(3)；

所述功率管的源端及漏端共同和比较器(2)连接，所述比较器(2)的输出端和电荷泵(3)的输入端连接，电荷泵(3)的输出端和功率管的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，所述功率管的栅极连接有电平转换电路(4)的输出端，所述电平转换电路(4)的输入端连接有驱动电路(1)。

3.根据权利要求2所述的一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，所述电平转换电路(4)的输入端和电荷泵(3)的输出端连接。

4.根据权利要求2所述的一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，所述比较器(2)和功率管的连接处连接有开关管的漏端，所述开关管的源端接地，所述开关管的栅极和驱动电路(1)连接。

5.根据权利要求1所述的一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，当功率管为PMOS管时，所述电荷泵(3)为负压电荷泵；当功率管为NMOS管时，所述电荷泵(3)为正压电荷泵。

6.一种基于权利要求1-5任意一项所述电路结构提升DCDC芯片性能的方法，其特征在于，比较器(2)比较功率管的源端电压和功率管的漏端电压；

若漏端电压减去阈值电压得到的结果大于源端电压，所述比较器(2)向电荷泵(3)输出控制信号，电荷泵(3)根据控制信号输出电压值，功率管根据电压值导通；

若漏端电压减去阈值电压得到的结果小于源端电压，所述比较器(2)向电荷泵(3)输出控制信号使电荷泵(3)停止产生电压，电荷泵(3)输出0电压至功率管。

7.根据权利要求6所述的基于电路结构的提升DCDC芯片性能的方法，其特征在于，功率管的栅极连接有电平转换电路(4)的输出端，所述电平转换电路(4)的输入端连接有驱动电路(1)；电平转换电路(4)的输入端和电荷泵(3)的输出端连接；

驱动电路(1)输出的功率管控制信号PD为GND时，电平转换电路(4)向功率管的栅极输出低电平；比较器(2)比较功率管的源端电压和漏端电压；当功率管漏端电压和源端电压的差值大于阈值电压，比较器(2)输出高电平至电荷泵(3)，电荷泵(3)产生电压并输入至电平转换电路(4)，电平转换电路(4)将低电压输入至功率管的栅极；当功率管漏端电压和源端电压的差值小于阈值电压，比较器(2)输出低电平至电荷泵(3)，电荷泵(3)输出低电平至电平转换电路(4)，电平转换电路(4)输出低电平至功率管的栅极。

8.根据权利要求7所述的基于电路结构的提升DCDC芯片性能的方法，其特征在于，驱动电路(1)输出的功率管控制信号PD为VCC时，电平转换电路(4)输出高电平VCC，功率管关断。