[发明专利]研磨方法在审
| 申请号： | 202210440877.7 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114823318A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李松 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种研磨方法，包括：首先根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命，设置实际研磨量；然后根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对晶圆执行N次粗研磨工艺，其中，N为大于或者等于1的整数；最后利用所述IAPC系统对晶圆执行精研磨工艺。本申请根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命来优化IAPC系统的研磨量，在不同的lifetime周期实现研磨量的动态调整，优化现有的反馈逻辑从而实现研磨时间的优化，使随机到站的批量过货的成功率大大提升，避免了平台因为长期不过货造成再次工作时最前几批次的芯片的研磨厚度异常的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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