[发明专利]研磨方法

说明书

本发明提供一种研磨方法，包括：首先根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命，设置实际研磨量；然后根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对晶圆执行N次粗研磨工艺，其中，N为大于或者等于1的整数；最后利用所述IAPC系统对晶圆执行精研磨工艺。本申请根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命来优化IAPC系统的研磨量，在不同的lifetime周期实现研磨量的动态调整，优化现有的反馈逻辑从而实现研磨时间的优化，使随机到站的批量过货的成功率大大提升，避免了平台因为长期不过货造成再次工作时最前几批次的芯片的研磨厚度异常的情况。

技术领域

本申请涉及晶圆研磨技术领域，具体涉及一种研磨方法。

背景技术

在半导体制造中，化学机械研磨(CMP)技术可以实现整个晶圆的平坦化，成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。

目前Fab7平台大多有来货不集中的情况，初期的研磨率并不能满足实际过货(run货)时的需求，从而inline持续遭受批量过货(尤其是最前几批次)时研磨量不好把控的问题，导致研磨晶圆(芯片)的厚度出现异常，从而导致IAPC系统过货不成功。具体的，IAPC系统设定的研磨时间满足如下公式：研磨时间＝研磨量/研磨率(定值)，其中，所述研磨率是机台PM(预防维护)后测机完预先设置好的定值；由上述公式可以看出，所述研磨时间通过研磨量和研磨率确定，经IAPC系统设定并赋予待研磨的晶圆。但是由于目前研磨量不好把控，所以造成设定的所述研磨时间不可控，从而造成研磨晶圆的过程中，研磨晶圆的厚度出现异常导致IAPC系统过货(跑片)失败的问题。此外，CMP的研磨率会随着耗材的使用时限(Lifetime)的增加而变化，以及CMP的研磨率在氧化物材料的研磨工艺中容易出现降低的问题，这些因素也会影响IAPC系统的研磨时间，造成IAPC系统过货失败的情况。

发明内容

本申请提供了一种研磨方法，可以解决研磨晶圆的过程中，IAPC系统的研磨时间和/或研磨量出现异常，导致研磨晶圆(芯片)的厚度出现异常，从而导致IAPC系统过货失败的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种研磨方法，包括：

根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命，设置实际研磨量；

根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对第m片晶圆执行N次粗研磨工艺，其中，m、N为大于或者等于1的整数；

利用所述IAPC系统对第m片晶圆执行精研磨工艺。

可选的，在所述研磨方法中，当N为大于1的整数时，所述根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对第m片晶圆执行N次粗研磨工艺的步骤包括：

将所述实际研磨量平均分成N份，以得到实际平均研磨量；

根据所述实际平均研磨量获取每次粗研磨工艺对应的实际平均研磨时间；

利用IAPC系统按照所述实际平均研磨时间对晶圆执行N次粗研磨工艺。

可选的，在所述研磨方法中，所述实际研磨量满足如下公式：W_m＝(X_m-E_m+d×F)，其中，W_m为第m片晶圆的所述实际研磨量，X_m为带入前值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量，E_m为带入前值影响因素值、后值影响因素值的反馈厚度，d为系数，F为所述研磨垫的寿命，其中，所述系数的范围为0.1～1。

可选的，在所述研磨方法中，所述带入前值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量满足如下公式：X_m＝A+B_m，其中，A为理想研磨量，B_m为第m片晶圆的所述前值影响因素值。