[发明专利]一种薄膜沉积装置及其沉积方法在审
| 申请号： | 202210425819.7 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114717538A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘镇颉;柳雪 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄亚茹 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域；该装置包括壳体，所述壳体内设置有反应室和环形抽气室；所述反应室与所述环形抽气室之间设置有环形抽气通道；其中，所述壳体上设置有用于向所述环形抽气室注入第二气体的第二气体进气口，所述环形抽气室上设置有抽气口。本申请公开了一种薄膜沉积方法。本申请提供的薄膜沉积装置及其沉积方法可以减少薄膜沉积过程中的沉积在装置内的薄膜材料，减少装置清洗，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 沉积 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
