[发明专利]一种平面栅SiC MOSFET及其制作方法有效
| 申请号： | 202210422057.5 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114784109B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张金平;陈伟;吴庆霖;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面栅SiC MOSFET及其制作方法。本发明在SiC MOSFET的y方向上采用P注入区域与N注入区域相间隔的注入模式有利于在保证良好接触的同时减小元胞尺寸，降低芯片成本。高浓度的N+注入区域保证了良好的欧姆接触，低浓度的N‑注入区域在源极区域引入了一个镇流电阻，有助于减小高压状态下的电流密度。同时，低浓度的N‑注入区域与两侧的高浓度P+注入区域形成了JFET结构，该JFET结构在正向导通时，由于电压较低，耗尽区宽度较窄，不会对电流流通产生影响。而在发生短路时，由于电源电压直接作用在SiC MOSFET的源漏两端，导致P+注入区域电势非常高，耗尽区宽度较宽，JFET区被夹断，饱和电流密度大幅度下降，从而提高器件的短路鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 sic mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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