[发明专利]用于氢敏感混合集成电路的吸氢器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210413606.2 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114520198B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王列松;黄冠华 | 申请（专利权）人： | 南京盖特尔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/26 | 分类号： | H01L23/26;C23C14/35;C23C14/14;C25D7/00 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，提供一种用于氢敏感混合集成电路的吸氢器件，包括：载体；在载体表面上依次叠加设置的吸氢层、选择性渗氢层以及保护层；其中：所述吸氢层，覆形覆盖在载体表面，其被设置用于吸氢/储氢；所述选择性渗氢层，覆形覆盖在吸氢层上，用于选择性地允许氢气透过而阻止其他气体透过；所述保护层，采用在空气环境下性质稳定的金属/合金薄膜，其覆形覆盖在选择性渗氢层上，用于允许氢气透过并且保护位于其下方的选择性渗氢层不与空气中的气体反应而减弱渗氢。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 敏感 混合 集成电路 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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