[发明专利]一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器有效
| 申请号： | 202210412902.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114512604B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李玉霞;袁方;张鹏;邓玥;于相成 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 陈海滨 |
| 地址： | 266590 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料，其中，第一功能层的材料采用HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 金属 氧化物 功能 层忆阻器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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