[发明专利]一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210412878.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114512581A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 阮怀权;黄小辉;袁祥龙 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及深紫外UVC芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：所述深紫外UVC外延结构包括衬底和生长在所述衬底一侧的功能层；所述功能层为AlGaN基功能层；将所述衬底的另一侧制备Ni金属层后，进行热处理，得到Ni金属自组装球聚层；以所述Ni金属自组装球聚层为掩模进行刻蚀后，去除所述Ni金属自组装球聚层，得到凹凸不平的衬底面；在所述凹凸不平的衬底面生长增透膜。所述制备方法制备得到的深紫外UVC芯片外延结构可以提高UVC芯片的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 uvc 芯片 外延 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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