[发明专利]超结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210411907.1 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114512406A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;陈燕宁;田俊;付振;张泉;肖超;尹强 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种超结器件的制造方法，属于芯片技术领域。所述超结器件的制造方法包括：在半导体衬底上，采用多次外延生长技术，分层制作第一导电类外延层；以及在每层第一导电类外延层上，制作并填充第二导电类型区，形成第一导电类型区与所述第二导电类型区交替排列的结构。把多次外延和深沟槽单次外延填充两种工艺相结合制作超结器件，在器件结构上对比多次外延工艺能够获得浓度分布均匀的P柱，对比深沟槽单次外延填充工艺能够获得较好的沟槽深度均一性及避免了P柱空洞；在器件性能上对比两种工艺能够获得更符合设计要求的击穿电压同时又能保证击穿电压有良好的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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