[发明专利]超结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210411907.1 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114512406A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;陈燕宁;田俊;付振;张泉;肖超;尹强 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，所述超结器件的制造方法包括：
在半导体衬底上，采用多次外延生长技术，分层制作第一导电类外延层；以及
在每层第一导电类外延层上，制作并填充第二导电类型区，形成第一导电类型区与所述第二导电类型区交替排列的结构。
2.根据权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为重掺杂N型衬底。
3.根据权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电类外延层为N型外延层，所述第二导电类型区为P型掺杂区。
4.根据权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述在每层第一导电类外延层上，制作第二导电类型区，包括：
在外延生长所述第一导电类外延层后，通过化学气相沉积工艺生长硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上通过光阻层，划定出所述第二导电类型区的刻蚀区域；
以所述光阻层为掩膜，对所述硬掩膜层进行第一类刻蚀；以及
对所述第一导电类外延层进行第一类刻蚀，形成所述第二导电类型区。
5.根据权利要求4所述的超结器件的制造方法，其特征在于，在所述对所述硬掩膜层进行刻蚀之后，所述超结器件的制造方法还包括：
刻蚀至所述第一导电类外延层表面暴露后，去除所述光阻层。
6.根据权利要求4所述的超结器件的制造方法，其特征在于，在所述制作并填充第二导电类型区之后，所述超结器件的制造方法还包括：
通过第二类刻蚀去除所述硬掩膜层。
7.根据权利要求4-6中任意一项所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氧化硅。
8.根据权利要求6所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述第一类刻蚀为干法刻蚀，所述第二类刻蚀为湿法刻蚀。
9.根据权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述超结器件的制造方法还包括：
在所述第一导电类型区与所述第二导电类型区交替排列的结构的外延层表面形成P型体区和源区。
10.根据权利要求9所述的超结器件的制造方法，其特征在于，所述超结器件的制造方法还包括：
在所述P型体区和所述源区上方，形成栅极结构，
所述栅极结构包括栅氧层和栅极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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