[发明专利]一种单晶多孔高熵羟基氧化物及其制备方法和应用在审
申请号: | 202210406060.8 | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN114808123A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 许海涛;邱华军 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B7/10;C30B7/14;C25B11/075;C25B11/031;C25B1/04 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 刘艳玲 |
地址: | 523808 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明提供一种单晶多孔高熵羟基氧化物及其制备方法,属于电化学催化技术领域,所述单晶多孔高熵羟基氧化物的分子式为Zn |
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搜索关键词: | 一种 多孔 羟基 氧化物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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