[发明专利]一种半导体材料电镀金工艺方法在审
申请号: | 202210401940.6 | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN115029750A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 黄惠莺;薛正群 | 申请(专利权)人: | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/48;C25D3/48 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 张灯灿;蔡学俊 |
地址: | 362712 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体材料电镀金工艺方法,包括以下步骤:前期处理:在晶圆上镀钛铂金作为电镀的导电层,晶圆边缘一圈去边带有金;表面处理:涂布光刻胶,利用光刻版曝光显影出需要电镀的图形,并且晶圆边缘一圈去边,形成一圈无金的边;然后进行坚膜,打胶;将晶圆浸泡入浸润槽的表面处理液中,使晶圆表面湿润;将晶圆浸泡入电镀槽的金液中,当炉内温度达到设定温度后,对晶圆进行电镀金处理;金液成分为:Au:8~15 g/L;Tl:26~35 mg/L;亚硫酸根离子:30~90 g/L;硫酸根离子:5~80 g/L;电镀金处理后,在清洗槽中对晶圆进行冲洗,然后取出晶圆,完成电镀金。该方法不仅镀膜厚度可达到2um,镀膜效果好,而且操作简单,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体材料 镀金 工艺 方法 | ||
【主权项】:
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